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RAM

M4S0-AGM1OEEM
M4S0-AGM1OEEM
Memory module 16GB DDR4 SODIMM, 3200MT/s, 1Gx8, IC Micron, Rank 2, dual side, -40...+125C
 
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InnoDisk
M4SE-AGM1OE0M-R
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M4SE-8GM1NE0M-R
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Memory module 8GB DDR4 SODIMM, 3200MT/s, 1Gx8, IC Micron, Rank 1, dual side, -40...+125C
 
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M5SV-BGM2OA0P-A
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Memory module 32GB DDR5 SODIMM, 4800MT/s, 2Gx8, IC Micron, Rank 2, dual side, -40...+105C
 
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M5SV-8GMYZA0P-A
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Memory module 8GB DDR5 SODIMM, 4800MT/s, 1Gx16, IC Micron, Rank 1, dual side, -40...+105C
 
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M5UV-AGM2JA0P-A
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Memory module 16GB DDR5 UDIMM, 4800MT/s, 2Gx8, IC Micron, Rank 1, dual side, -40...+105C
 
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M4DE-8GM1PE0M-R
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Memory module 8GB DDR4 ECC SODIMM, 3200MT/s, 1Gx8, IC Micron, Rank 1, dual side, -40...+125C
 
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M4SE-BGM2OE0M-F
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Memory module 32GB DDR4 SODIMM, 3200MT/s, 2Gx8, IC Micron, Rank 2, dual side, -40...+125C
 
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M5S0-BGM2OAVP
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Memory module 32GB DDR5 SODIMM, 4800MT/s, 2Gx8, IC Micron, Rank 2, dual side, -40...+105C
 
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InnoDisk
M5UV-BGM2KA0P-A
M5UV-BGM2KA0P-A
Memory module 32GB DDR5 UDIMM, 4800MT/s, 2Gx8, IC Micron, Rank 2, dual side, -40...+105C
 
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Constructeur
Nom
Mémoire
Type de mémoire
Tout desactiver Turn
Format
Capacité par module
GB
0.128
32
Fréquence
MHz
100
2666
ECC
Registered
Low Profile
Voltage
Tout desactiver Turn
Conditions utilisations
Température
°C
-40
85
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