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RAM

M4DI-2GSVPCSJ-F
M4DI-2GSVPCSJ-F
Memory module 2GB DDR4 ECC SODIMM, 2400MT/s, 256Mx16, IC Sam, Rank 1, Side 2, 0...85C
 
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InnoDisk
M3UT-2GMJB5PC-K
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Memory module 2GB DDR3 UDIMM, 1600MT/s, 256Mx8, IC Micron, Rank 1, Side 1, 0...85C
 
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M4R0-AGS2CCEM
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Memory module 16GB DDR4 RDIMM VLP, 3200MT/s, 2Gx8, IC Sam, Rank 1, Side 2, 0...85C
 
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M4UE-AGS1KIUN-C
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Memory module 16GB DDR4 UDIMM, 2933MT/s, 1Gx8, IC Sam, Rank 2, Side 2, 0...85C
 
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M3CT-4GMS4LN9-P
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Memory module 4GB DDR3L ECC UDIMM VLP, 1333MT/s, 512Mx8, IC Micron, Rank 1, Side 1, 0...85C
 
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M3S0-2GWVF4QE
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Memory module 2GB DDR3L SODIMM, 1866MT/s, 256Mx16, IC Winbond, Rank 1, Side 1, 0...85C
 
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M3BT-1GMJCLN9-K
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Memory module 1GB DDR3L 32bit SODIMM, 1333MT/s, 256Mx8, IC Micron, Rank 1, Side 2, 0...85C
 
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M4UE-8GSX2CSJ-G
M4UE-8GSX2CSJ-G
Memory module 8GB DDR4 UDIMM, 2400MT/s, 512Mx16, IC Sam, Rank 2, Side 2, 0...85C
 
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M4CE-8GS1LC0M-G
M4CE-8GS1LC0M-G
Memory module 8GB DDR4 ECC UDIMM, 3200MT/s, 1Gx8, IC Sam, Rank 1, Side 1, 0...85C
 
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M4UE-4GSSJ5IK-G
M4UE-4GSSJ5IK-G
Memory module 4GB DDR4 UDIMM, 2666MT/s, 512Mx8, IC Sam, Rank 1, Side 1, 0...85C
 
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InnoDisk
Constructeur
Nom
Mémoire
Type de mémoire
Tout desactiver Turn
Format
Capacité par module
GB
0.128
32
Fréquence
MHz
100
2666
ECC
Registered
Low Profile
Voltage
Tout desactiver Turn
Conditions utilisations
Température
°C
-40
85
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