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RAM

M4RE-4GSSA50M-G
M4RE-4GSSA50M-G
Memory module 4GB DDR4 RDIMM, 3200MT/s, 512Mx8, IC Sam, Rank 1, Side 1, 0...85C
 
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InnoDisk
M4UE-4GSX150M-C
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Memory module 4GB DDR4 UDIMM, 3200MT/s, 512Mx16, IC Sam, Rank 1, Side 1, 0...85C
 
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M3UT-4GMSB5N9-P
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Memory module 4GB DDR3 UDIMM, 1333MT/s, 512Mx8, IC Micron, Rank 1, Side 1, 0...85C
 
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M4RE-4GSSA5UN-G
M4RE-4GSSA5UN-G
Memory module 4GB DDR4 RDIMM, 2933MT/s, 512Mx8, IC Sam, Rank 1, Side 1, 0...85C
 
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M4UI-8GS1JCSJ-C
M4UI-8GS1JCSJ-C
Memory module 8GB DDR4 UDIMM, 2400MT/s, 1Gx8, IC Sam, Rank 1, Side 1, 0...85C
 
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M4S0-4GMXZCEM
M4S0-4GMXZCEM
Memory module 4GB DDR4 SODIMM, 3200MT/s, 512Mx16, IC Micron, Rank 1, Side 1, 0...85C
 
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M3U0-4GMSB4PC
M3U0-4GMSB4PC
Memory module 4GB DDR3L UDIMM, 1600MT/s, 512Mx8, IC Micron, Rank 1, Side 1, 0...85C
 
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M4RE-4GSSA5IK-G
M4RE-4GSSA5IK-G
Memory module 4GB DDR4 RDIMM, 2666MT/s, 512Mx8, IC Sam, Rank 1, Side 1, 0...85C
 
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InnoDisk
M4UI-AGS1WCSJ-C
M4UI-AGS1WCSJ-C
Memory module 16GB DDR4 UDIMM VLP, 2400MT/s, 1Gx8, IC Sam, Rank 2, Side 2, 0...85C
 
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InnoDisk
M4D0-AGM1QWIK
M4D0-AGM1QWIK
Memory module 16GB DDR4 ECC SODIMM, 2666MT/s, 1Gx8, IC Micron, Rank 2, Side 2, 0...85C
 
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InnoDisk
Constructeur
Nom
Mémoire
Type de mémoire
Tout desactiver Turn
Format
Capacité par module
GB
0.128
32
Fréquence
MHz
100
2666
ECC
Registered
Low Profile
Voltage
Tout desactiver Turn
Conditions utilisations
Température
°C
-40
85
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