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RAM

M4CE-4GSSLWUN-F
M4CE-4GSSLWUN-F
Memory module 4GB DDR4 ECC UDIMM, 2933MT/s, 512Mx8, IC Sam, Rank 1, Side 1, 0...85C
 
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InnoDisk
M5S0-BGM2OWZQ
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Memory module 32GB DDR5 SODIMM, 5600MT/s, 2Gx8, IC Micron, Rank 2, Side 2, 0...85C
 
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InnoDisk
M5DZ-BGM2QW0Q-D
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Memory module 32GB DDR5 ECC SODIMM, 5600MT/s, 2Gx8, IC Micron, Rank 2, Side 2, 0...85C
 
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InnoDisk
M4SE-8GS1NCIK-G
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Memory module 8GB DDR4 SODIMM, 2666MT/s, 1Gx8, IC Sam, Rank 1, Side 2, 0...85C
 
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InnoDisk
M4C0-4GSSL5UN
M4C0-4GSSL5UN
Memory module 4GB DDR4 ECC UDIMM, 2933MT/s, 512Mx8, IC Sam, Rank 1, Side 1, 0...85C
 
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M3U0-8GWSACPC
M3U0-8GWSACPC
Memory module 8GB DDR3 UDIMM, 1600MT/s, 512Mx8, IC Winbond, Rank 2, Side 2, 0...85C
 
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M4CE-8GS1L5UN-G
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Memory module 8GB DDR4 ECC UDIMM, 2933MT/s, 1Gx8, IC Sam, Rank 1, Side 1, 0...85C
 
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M3S0-2GMJECN9
M3S0-2GMJECN9
Memory module 2GB DDR3 SODIMM VLP, 1333MT/s, 256Mx8, IC Micron, Rank 1, Side 2, 0...85C
 
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M4RE-4GSSCCSJ-G
M4RE-4GSSCCSJ-G
Memory module 4GB DDR4 RDIMM VLP, 2400MT/s, 512Mx8, IC Sam, Rank 1, Side 2, 0...85C
 
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M4UE-8GSY1CUN-C
M4UE-8GSY1CUN-C
Memory module 8GB DDR4 UDIMM, 2933MT/s, 1Gx16, IC Sam, Rank 1, Side 1, 0...85C
 
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Constructeur
InnoDisk
Constructeur
Nom
Mémoire
Type de mémoire
Tout desactiver Turn
Format
Capacité par module
GB
0.128
32
Fréquence
MHz
100
2666
ECC
Registered
Low Profile
Voltage
Tout desactiver Turn
Conditions utilisations
Température
°C
-40
85
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