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RAM

M4UE-4GSX1CUN-G
M4UE-4GSX1CUN-G
Memory module 4GB DDR4 UDIMM, 2933MT/s, 512Mx16, IC Sam, Rank 1, Side 1, 0...85C
 
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InnoDisk
M4UE-AGM2J50M-F
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Memory module 16GB DDR4 UDIMM, 3200MT/s, 2Gx8, IC Micron, Rank 1, Side 1, 0...85C
 
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M4UE-8GSY150M-C
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Memory module 8GB DDR4 UDIMM, 3200MT/s, 1Gx16, IC Sam, Rank 1, Side 1, 0...85C
 
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M4SE-4GSXZCUN-C
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Memory module 4GB DDR4 SODIMM, 2933MT/s, 512Mx16, IC Sam, Rank 1, Side 1, 0...85C
 
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M4DE-4GSSPWUN-F
M4DE-4GSSPWUN-F
Memory module 4GB DDR4 ECC SODIMM, 2933MT/s, 512Mx8, IC Sam, Rank 1, Side 2, 0...85C
 
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M4UE-BGS2WCIK-C
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Memory module 32GB DDR4 UDIMM VLP, 2666MT/s, 2Gx8, IC Sam, Rank 2, Side 2, 0...85C
 
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M4U0-AGG1KCEM
M4U0-AGG1KCEM
Memory module 16GB DDR4 UDIMM, 3200MT/s, 1Gx8, IC Sam, Rank 2, Side 2, 0...85C
 
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M4U0-8GSSW5UN
M4U0-8GSSW5UN
Memory module 8GB DDR4 UDIMM VLP, 2933MT/s, 512Mx8, IC Sam, Rank 2, Side 2, 0...85C
 
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M4UE-AGS1K5IK-G
M4UE-AGS1K5IK-G
Memory module 16GB DDR4 UDIMM, 2666MT/s, 1Gx8, IC Sam, Rank 2, Side 2, 0...85C
 
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M4U0-8GSY1CRG
M4U0-8GSY1CRG
Memory module 8GB DDR4 UDIMM, 2133MT/s, 1Gx16, IC Sam, Rank 1, Side 1, 0...85C
 
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InnoDisk
Constructeur
Nom
Mémoire
Type de mémoire
Tout desactiver Turn
Format
Capacité par module
GB
0.128
32
Fréquence
MHz
100
2666
ECC
Registered
Low Profile
Voltage
Tout desactiver Turn
Conditions utilisations
Température
°C
-40
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