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RAM

M4DE-8GSSQ50M-F
M4DE-8GSSQ50M-F
Memory module 8GB DDR4 ECC SO-DIMM 3200MT/s, 512Mx8, IC Sam, Rank 2, dual side, -40...+85C
 
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InnoDisk
M4D0-8GS1PCEM
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Memory module 8GB DDR4 ECC SO-DIMM 3200MT/s, 1Gx8, IC Sam, Rank 1, dual side, 0...+85C
 
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M4C0-AGS2LCEM
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Memory module 16GB DDR4 ECC U-DIMM 3200MT/s, 2Gx8, IC Sam, Rank 1, single side, 0...+85C
 
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M4CE-8GS1L50M-C
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Memory module 8GB DDR4 ECC U-DIMM 3200MT/s, 1Gx8, IC Sam, Rank 1, single side, -40...+85C
 
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M3DT-4GMJ6CPC-K
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Memory module 4GB DDR3 ECC SO-DIMM 1600MT/s, 256Mx8, IC Micron, Rank 2, dual side, 0...+85C
 
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M3C0-8GMS3LQE
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Memory module 8GB DDR3L ECC U-DIMM 1866MT/s, 512Mx8, IC Micron, Rank 2, dual side, 0...+85C
 
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M3C0-4GMJ5LQE
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Memory module 4GB DDR3L ECC U-DIMM VLP 1866MT/s, 256Mx8, IC Micron, Rank 2, dual side, 0...+85C
 
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M3MT-8GSSWCPC-E
M3MT-8GSSWCPC-E
Memory module 8GB DDR3 Mini-RDIMM 1600MT/s, 512Mx8, IC Sam, Rank 2, dual side, 0...+85C
 
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M4D0-AGM1Q5EM
M4D0-AGM1Q5EM
Memory module 16GB DDR4 ECC SO-DIMM 3200MT/s, 1Gx8, IC Micron, Rank 2, dual side, -40...+85C
 
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M4C0-BGM2M5EM
M4C0-BGM2M5EM
Memory module 32GB DDR4 ECC U-DIMM 3200MT/s, 2Gx8, IC Micron, Rank 2, dual side, -40...+85C
 
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InnoDisk
Constructeur
Nom
Mémoire
Type de mémoire
Tout desactiver Turn
Format
Capacité par module
GB
0.128
32
Fréquence
MHz
100
2666
ECC
Registered
Low Profile
Voltage
Tout desactiver Turn
Conditions utilisations
Température
°C
-40
85
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