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RAM

M3U0-4GMSBCPC
M3U0-4GMSBCPC
Memory Module 4GB DDR3L U-DIMM 1066MT/s, 512Mx8, IC Micron, Rank 1, single side, 0...+70C
 
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Constructeur
InnoDisk
M3ST-2GMJCLN9-K
M3ST-2GMJCLN9-K
Memory Module 2GB DDR3L SO-DIMM 1333MT/s, 256Mx8, IC Micron, Rank 1, single side, 0...+70C
 
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Constructeur
InnoDisk
M4CI-BGS2MC0K-A
M4CI-BGS2MC0K-A
Memory Module 32GB DDR4 U-DIMM 2666MT/s, 2Gx8, IC Sam, Rank 2, dual side, ECC, 0...+85C
 
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Constructeur
InnoDisk
M4SI-AGS1OCSJ-C
M4SI-AGS1OCSJ-C
16GB DDR4 SO-DIMM 2400MHz Industrial Innodisk Memory Non-ECC 2R 1Gx8, IC Samsung, Standard Temperature 0..+85C
 
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Constructeur
InnoDisk
M4SI-8GSSO5RG-F
M4SI-8GSSO5RG-F
Memory Module 8GB DDR4 SO-DIMM 2133MT/s, 512Mx8, IC Sam, Rank 2, dual side, -40...+85C
 
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Constructeur
InnoDisk
M4S0-4GSSNISJ
M4S0-4GSSNISJ
4GB DDR4 SO-DIMM 2400MHz Innodisk Memory 512Mx8, IC Sam, single rank, dual side, -40...+85C
Type de mémoire
DDR4 RAM
Format
SO-DIMM
Capacité par module
4 GB
Fréquence
2400 MHz
ECC
Non
Registered
Non
Température
-40 ... 85 °C
 
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InnoDisk
M3ST-4GMSC4PC-P
M3ST-4GMSC4PC-P
Memory Module 4GB DDR3L SO-DIMM 1866MT/s, 512Mx8, IC Micron, Rank 1, dual side, -40...+85C
 
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Constructeur
InnoDisk
M3ST-4GMSC40E-P
M3ST-4GMSC40E-P
Memory Module 4GB DDR3L SO-DIMM 1866MT/s, 512Mx8, IC Micron, Rank 1, dual side, -40...+85C
 
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Constructeur
InnoDisk
M3ST-8GMSD40E-P
M3ST-8GMSD40E-P
Memory Module 8GB DDR3L SO-DIMM 1866MT/s, 512Mx8, IC Micron, Rank 2, dual side, -40...+85C
 
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Constructeur
InnoDisk
78.A2GG4.4000B
78.A2GG4.4000B
2GB Apacer Memory DDR4 SODIMM 2666MHz Non-ECC 1R 256Mx16, IC Samsung, Standard Temperature 0..+85C
Type de mémoire
DDR4 RAM, DDR4 2666
Format
SO-DIMM
Capacité par module
2 GB
Fréquence
2666 MHz
ECC
Non
Température
0 ... 85 °C
 
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Constructeur
Apacer
Constructeur
Nom
Mémoire
Type de mémoire
Tout desactiver Turn
Format
Capacité par module
GB
0.128
32
Fréquence
MHz
100
2666
ECC
Registered
Low Profile
Voltage
Tout desactiver Turn
Conditions utilisations
Température
°C
-40
85
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20:38 07.05.2024