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RAM

ACT4GHR72N8J1333M-LVP
Memory module 4GB DDR3L RDIMM VLP, 1333MT/s, 512Mx8, IC Micron, Rank 1, Side 2, 0...85C
 
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InnoDisk
M3S0-1GMWFCQE
M3S0-1GMWFCQE
Memory module 1GB DDR3 SODIMM, 1866MT/s, 128Mx16, IC Micron, Rank 1, Side 1, 0...85C
 
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M4SI-4GSS3CRG-F
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Memory module 4GB DDR4 SODIMM VLP, 2133MT/s, 512Mx8, IC Sam, Rank 1, Side 2, 0...85C
 
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M3C0-4GMS1LPC
M3C0-4GMS1LPC
Memory module 4GB DDR3L ECC UDIMM, 1600MT/s, 512Mx8, IC Micron, Rank 1, Side 1, 0...85C
 
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M4DI-4GSSICSJ-F
M4DI-4GSSICSJ-F
Memory module 4GB DDR4 ECC SODIMM VLP, 2400MT/s, 512Mx8, IC Sam, Rank 1, Side 2, 0...85C
 
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M4SE-8GSX850M-G
M4SE-8GSX850M-G
Memory module 8GB DDR4 SODIMM, 3200MT/s, 512Mx16, IC Sam, Rank 2, Side 2, 0...85C
 
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M4S0-8GG1NCEM
M4S0-8GG1NCEM
Memory module 8GB DDR4 SODIMM, 3200MT/s, 1Gx8, IC Sam, Rank 1, Side 2, 0...85C
 
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M4CI-AGS1MWRG-C
M4CI-AGS1MWRG-C
Memory module 16GB DDR4 ECC UDIMM, 2133MT/s, 1Gx8, IC Sam, Rank 2, Side 2, 0...85C
 
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M4RE-8GSSB5IK-G
M4RE-8GSSB5IK-G
Memory module 8GB DDR4 RDIMM, 2666MT/s, 512Mx8, IC Sam, Rank 2, Side 2, 0...85C
 
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M4S0-2GSVZCEM
M4S0-2GSVZCEM
Memory module 2GB DDR4 SODIMM, 3200MT/s, 256Mx16, IC Sam, Rank 1, Side 1, 0...85C
 
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InnoDisk
Constructeur
Nom
Mémoire
Type de mémoire
Tout desactiver Turn
Format
Capacité par module
GB
0.128
32
Fréquence
MHz
100
2666
ECC
Registered
Low Profile
Voltage
Tout desactiver Turn
Conditions utilisations
Température
°C
-40
85
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