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RAM

M4SE-8GSSOCSJ-G
M4SE-8GSSOCSJ-G
Memory module 8GB DDR4 SODIMM, 2400MT/s, 512Mx8, IC Sam, Rank 2, Side 2, 0...85C
 
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InnoDisk
M3D0-4GMS2LN9
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Memory module 4GB DDR3L ECC SODIMM, 1333MT/s, 512Mx8, IC Micron, Rank 1, Side 2, 0...85C
 
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M4DE-4GSSIC0M-G
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Memory module 4GB DDR4 ECC SODIMM VLP, 3200MT/s, 512Mx8, IC Sam, Rank 1, Side 2, 0...85C
 
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M4CE-BGS2MCIK-C
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Memory module 32GB DDR4 ECC UDIMM, 2666MT/s, 2Gx8, IC Sam, Rank 2, Side 2, 0...85C
 
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M4UE-BGM2K50M-F
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Memory module 32GB DDR4 UDIMM, 3200MT/s, 2Gx8, IC Micron, Rank 2, Side 2, 0...85C
 
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M4UE-8GSSW50M-G
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Memory module 8GB DDR4 UDIMM VLP, 3200MT/s, 512Mx8, IC Sam, Rank 2, Side 2, 0...85C
 
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M4S0-4GSSNIUN
M4S0-4GSSNIUN
Memory module 4GB DDR4 SODIMM, 2933MT/s, 512Mx8, IC Sam, Rank 1, Side 2, 0...85C
 
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M5DZ-FGMZPC0Q-B
M5DZ-FGMZPC0Q-B
Memory module 24GB DDR5 ECC SODIMM, 5600MT/s, 3Gx8, IC Micron, Rank 1, Side 1, 0...85C
 
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M4UE-8GS1V5UN-G
M4UE-8GS1V5UN-G
Memory module 8GB DDR4 UDIMM VLP, 2933MT/s, 1Gx8, IC Sam, Rank 1, Side 1, 0...85C
 
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M4UE-8GM1JCIK-R
M4UE-8GM1JCIK-R
Memory module 8GB DDR4 UDIMM, 2666MT/s, 1Gx8, IC Micron, Rank 1, Side 1, 0...85C
 
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InnoDisk
Constructeur
Nom
Mémoire
Type de mémoire
Tout desactiver Turn
Format
Capacité par module
GB
0.128
32
Fréquence
MHz
100
2666
ECC
Registered
Low Profile
Voltage
Tout desactiver Turn
Conditions utilisations
Température
°C
-40
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