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RAM

M4CE-8GSSTCSJ-G
M4CE-8GSSTCSJ-G
Memory module 8GB DDR4 ECC UDIMM VLP, 2400MT/s, 512Mx8, IC Sam, Rank 2, Side 2, 0...85C
 
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InnoDisk
M3ST-4GWSC5N9-R
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Memory module 4GB DDR3 SODIMM, 1333MT/s, 512Mx8, IC Winbond, Rank 1, Side 2, 0...85C
 
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M4C0-AGS1MWSJ
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Memory module 16GB DDR4 ECC UDIMM, 2400MT/s, 1Gx8, IC Sam, Rank 2, Side 2, 0...85C
 
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M3U0-4GMSB5PC
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Memory module 4GB DDR3 UDIMM, 1600MT/s, 512Mx8, IC Micron, Rank 1, Side 1, 0...85C
 
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M4CE-AGS1M50M-G
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Memory module 16GB DDR4 ECC UDIMM, 3200MT/s, 1Gx8, IC Sam, Rank 2, Side 2, 0...85C
 
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M5U0-8GSY15ZQ
M5U0-8GSY15ZQ
Memory module 8GB DDR5 UDIMM, 5600MT/s, 1Gx16, IC Sam, Rank 1, Side 1, 0...85C
 
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M4U0-BGM2K5EM
M4U0-BGM2K5EM
Memory module 32GB DDR4 UDIMM, 3200MT/s, 2Gx8, IC Micron, Rank 2, Side 2, 0...85C
 
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M4UE-4GSSJIUN-G
M4UE-4GSSJIUN-G
Memory module 4GB DDR4 UDIMM, 2933MT/s, 512Mx8, IC Sam, Rank 1, Side 1, 0...85C
 
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M3ST-4GWSCLN9-E
M3ST-4GWSCLN9-E
Memory module 4GB DDR3L SODIMM, 1333MT/s, 512Mx8, IC Winbond, Rank 1, Side 2, 0...85C
 
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InnoDisk
M4SE-4GSXZ5SJ-G
M4SE-4GSXZ5SJ-G
Memory module 4GB DDR4 SODIMM, 2400MT/s, 512Mx16, IC Sam, Rank 1, Side 1, 0...85C
 
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InnoDisk
Constructeur
Nom
Mémoire
Type de mémoire
Tout desactiver Turn
Format
Capacité par module
GB
0.128
32
Fréquence
MHz
100
2666
ECC
Registered
Low Profile
Voltage
Tout desactiver Turn
Conditions utilisations
Température
°C
-40
85
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