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RAM

M4U0-4GSSJIRG
M4U0-4GSSJIRG
Memory module 4GB DDR4 UDIMM, 2133MT/s, 512Mx8, IC Sam, Rank 1, Side 1, 0...85C
 
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InnoDisk
M5CZ-BGS2MC0Q-P
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Memory module 32GB DDR5 ECC UDIMM, 5600MT/s, 2Gx8, IC Sam, Rank 2, Side 2, 0...85C
 
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M3UT-4GMSNLPC-P
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Memory module 4GB DDR3L UDIMM VLP, 1600MT/s, 512Mx8, IC Micron, Rank 1, Side 1, 0...85C
 
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M4S0-8GSSO5UN
M4S0-8GSSO5UN
Memory module 8GB DDR4 SODIMM, 2933MT/s, 512Mx8, IC Sam, Rank 2, Side 2, 0...85C
 
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M4UE-AGM2JC0M-F
M4UE-AGM2JC0M-F
Memory module 16GB DDR4 UDIMM, 3200MT/s, 2Gx8, IC Micron, Rank 1, Side 1, 0...85C
 
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M4SE-AGS1OCIK-G
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Memory module 16GB DDR4 SODIMM, 2666MT/s, 1Gx8, IC Sam, Rank 2, Side 2, 0...85C
 
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M5CZ-BGS2M5VP-P
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Memory module 32GB DDR5 ECC UDIMM, 4800MT/s, 2Gx8, IC Sam, Rank 2, Side 2, 0...85C
 
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M3CT-4GMJ5CN9-K
M3CT-4GMJ5CN9-K
Memory module 4GB DDR3 ECC UDIMM VLP, 1333MT/s, 256Mx8, IC Micron, Rank 2, Side 2, 0...85C
 
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InnoDisk
M3CT-4GMJ3CN9-K
M3CT-4GMJ3CN9-K
Memory module 4GB DDR3 ECC UDIMM, 1333MT/s, 256Mx8, IC Micron, Rank 2, Side 2, 0...85C
 
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InnoDisk
M3CT-4GWS1C0E-R
M3CT-4GWS1C0E-R
Memory module 4GB DDR3 ECC UDIMM, 1866MT/s, 512Mx8, IC Winbond, Rank 1, Side 1, 0...85C
 
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InnoDisk
Constructeur
Nom
Mémoire
Type de mémoire
Tout desactiver Turn
Format
Capacité par module
GB
0.128
32
Fréquence
MHz
100
2666
ECC
Registered
Low Profile
Voltage
Tout desactiver Turn
Conditions utilisations
Température
°C
-40
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